Módulo RF GaN de 1.2 GHz personalizado, amplificador de potencia de 100W para sistema de defensa anti-FPV, módulos inalámbricos y RF de 1170-1280 MHz

 PruebaPunto de trabajo

Indicador

El poder

100 W

Potencia de salida (dBm)

50 dBm

Retraso del grupo dentro de la banda

Ganancias

45±1.0 (entrada externa 5 dBm, salida del amplificador de potencia 50 dBm)

Fluctuación dentro de la banda (dB)

< 2,5 (valor de pico a pico)

Relación de onda de pie de la tensión de entrada

Se trata de un35

Relación de la tensión de salida con la onda de pie

Tensión de alimentación típica

El rango de +30Vdc: 28-36V

Corriente de suministro

7A

Conector RF de salida

N-50KFD

Tamaño

Las demás máquinas y aparatos para la fabricación o el almacenamiento de materiales

Fuente de señal de entrada

Fuente de señal de barrido de modulación de alta eficiencia incorporada, que también puede conectarse a fuentes externas

1 7W2 conexión masculina 2 condensadores de alimentación (de arriba a abajo)

1: Al es la entrada de potencia de 30 V, y A2 es GND; 2: El primer pin de 7W2 es el activador del amplificador de potencia PA_SW; 3: El condensador superior a través del núcleo es SRC_SW (interruptor de fuente de señal interna),- ¿ Qué pasa?, baja; 4: El condensador de entrada de abajo es PS_SW (interruptor de fuente interna y externa), alta: fuente externa; baja: fuente incorporada;